logo
ISSN 2734-9020

Samsung trình diễn bộ nhớ HBM4E tốc độ 4 TB/s, SSD PCIe Gen6 và RAM SOCAMM2 tại GTC 2026

Thứ ba, 17/03/2026 - 18:22

Samsung giới thiệu các công nghệ bộ nhớ và lưu trữ thế hệ mới tại GTC 2026, bao gồm HBM4E, SSD PCIe Gen6 và RAM SOCAMM2, hướng tới nền tảng AI của NVIDIA.

Tại sự kiện GTC 2026, Samsung đã trình diễn hàng loạt công nghệ bộ nhớ và lưu trữ thế hệ mới, nổi bật là bộ nhớ HBM4E, SSD PCIe Gen6 và RAM SOCAMM2, hướng tới các nền tảng AI hiện tại và tương lai của NVIDIA.

Bộ nhớ HBM4E dành cho nền tảng Rubin Ultra của NVIDIA

Samsung đã giới thiệu bộ nhớ HBM4E tại GTC 2026 với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 16 Gbps cho mỗi IO, mang lại băng thông tối đa 4 TB/s mỗi stack và sử dụng cấu trúc 16-Hi stack cho mật độ bộ nhớ 48 GB mỗi stack. Giải pháp này được thiết kế riêng cho nền tảng Rubin Ultra của NVIDIA, vốn sử dụng bốn chiplet GPU và 16 vị trí bộ nhớ HBM. Khi sử dụng 16-Hi stack, Rubin Ultra có thể đạt dung lượng bộ nhớ HBM4E lên tới 384 GB và băng thông tối đa 64 TB/s ở tốc độ 16 Gbps, vượt trội so với nền tảng Rubin hiện tại với 288 GB HBM4 và 22 TB/s băng thông.

Samsung trình diễn bộ nhớ HBM4E tốc độ 4 TB/s, SSD PCIe Gen6 và RAM SOCAMM2 tại GTC 2026- Ảnh 1.

Bộ nhớ HBM4 thế hệ thứ sáu của Samsung hiện đã được sản xuất hàng loạt và được thiết kế cho nền tảng NVIDIA Vera Rubin. HBM4 đạt tốc độ xử lý ổn định 11,7 Gbps, vượt tiêu chuẩn ngành là 8 Gbps, và có thể nâng cấp lên 13 Gbps. Nhờ quy trình DRAM 10 nm thế hệ thứ sáu (1c), Samsung đạt hiệu suất và sản lượng ổn định. HBM4E thế hệ mới với tốc độ 16 Gbps mỗi pin và băng thông 4 TB/s cũng lần đầu xuất hiện tại GTC 2026.

Bên cạnh đó, Samsung còn trình diễn công nghệ hybrid copper bonding (HCB), giúp bộ nhớ HBM thế hệ mới đạt 16 lớp hoặc hơn, đồng thời giảm điện trở nhiệt hơn 20% so với công nghệ thermal compression bonding (TCB).

Samsung trình diễn bộ nhớ HBM4E tốc độ 4 TB/s, SSD PCIe Gen6 và RAM SOCAMM2 tại GTC 2026- Ảnh 2.

Hợp tác với NVIDIA và các giải pháp cho AI

Samsung nhấn mạnh mối quan hệ hợp tác với NVIDIA thông qua khu vực 'NVIDIA Gallery', giới thiệu loạt công nghệ như HBM4, SOCAMM2 và SSD PM1763 dành cho hạ tầng AI của NVIDIA. RAM SOCAMM2, dựa trên DRAM tiết kiệm điện, là mô-đun bộ nhớ máy chủ tối ưu cho AI thế hệ mới, cung cấp băng thông cao và khả năng tích hợp linh hoạt. SOCAMM2 hiện đã được sản xuất hàng loạt, trở thành sản phẩm đầu tiên trong ngành đạt được cột mốc này.

Samsung trình diễn bộ nhớ HBM4E tốc độ 4 TB/s, SSD PCIe Gen6 và RAM SOCAMM2 tại GTC 2026- Ảnh 3.

Samsung cũng giới thiệu SSD PM1763 sử dụng giao tiếp PCIe 6.0, mang lại tốc độ truyền dữ liệu cao và dung lượng lớn, phù hợp cho các giải pháp lưu trữ AI thế hệ mới. Hiệu năng của PM1763 sẽ được trình diễn trên máy chủ sử dụng mô hình lập trình NVIDIA SCADA. Ngoài ra, SSD PM1753 sẽ được tích hợp trong kiến trúc tham chiếu NVIDIA BlueField-4 STX cho nền tảng Vera Rubin, giúp nâng cao hiệu quả năng lượng và hiệu suất hệ thống cho các tác vụ suy luận.

Giải pháp bộ nhớ cho thiết bị cá nhân và di động

Samsung trình diễn bộ nhớ HBM4E tốc độ 4 TB/s, SSD PCIe Gen6 và RAM SOCAMM2 tại GTC 2026- Ảnh 4.

Samsung cũng mang đến các giải pháp bộ nhớ tối ưu cho AI cục bộ trên thiết bị cá nhân, bao gồm PM9E3 và PM9E1 NAND dành cho NVIDIA DGX Spark. Bên cạnh đó, các dòng DRAM LPDDR5X và LPDDR6 được thiết kế cho smartphone, tablet và thiết bị đeo cao cấp, cung cấp tốc độ truyền dữ liệu nhanh và độ trễ thấp. LPDDR5X đạt tốc độ tới 25 Gbps mỗi pin, giảm tiêu thụ điện năng tới 15%, hỗ trợ trải nghiệm di động mượt mà, chơi game độ phân giải cao và ứng dụng AI mà không ảnh hưởng đến thời lượng pin. LPDDR6 tiếp tục nâng băng thông lên mức 30-35 Gbps mỗi pin, đồng thời bổ sung các tính năng quản lý điện năng như điều chỉnh điện áp thích ứng và kiểm soát làm mới động, đáp ứng nhu cầu xử lý AI biên thế hệ mới.

Độc giả quan tâm đến các thiết bị Samsung có thể tham khảo Samsung Galaxy S26 Ultra với giá khoảng 36.990.000 đồng tại Shopee hoặc lựa chọn thêm tại Lazada để so sánh ưu đãi.

Max